Erlangene įsikūręs Fraunhofer IISB (Integruotų sistemų ir įrenginių technologijos institutas) ir Vetenberge įsikūręs mikrobangų ir radijo dažnių plazmos sistemų gamintojas PVA TePla AG sujungia savo patirtį bendroje laboratorijoje, skirtoje aliuminio nitrido (AlN) kristalams gaminti.
Ši partnerystė, pirmoji Europoje, leidžia pramoniniu būdu gaminti mažomis partijomis monokristalinius 2 colių skersmens AlN substratus mokslinių tyrimų ir plėtros tikslais. Tai žymiai pagerina AlN substratų prieinamumą Europoje, o tai savo ruožtu paspartina AlN pagrindu sukurtų prietaisų ir sistemų kūrimą bei jų pritaikymą pramonėje.
Aliuminio nitridas yra viena perspektyviausių medžiagų naujos kartos didelio našumo elektronikai. Būdamas itin plataus draudžiamojo tarpo (UWBG) puslaidininkis, AlN atveria naujas galimybes fotonikoje, galios elektronikoje, aukšto dažnio elektronikoje ir elektronikoje, veikiančioje ekstremaliomis sąlygomis. Iki šiol aukštos kokybės, didelio ploto ir ekonomiškų AlN substratų trūkumas stabdė AlN pagrindu sukurtų elektroninių sistemų kūrimą.
„Su Jungtine laboratorija klojame pamatus, kad užtikrintume patikimą AlN substratų tiekimą iš Europos, taip atverdami naujas perspektyvas naujos kartos didelio našumo AlN įrenginiams“, – sako dr. Svenas Besendörferis, nitridinių medžiagų grupės vadovas ir atsakingas už AlN medžiagų kūrimą „Fraunhofer IISB“. „Kartu su PVA TePla mes prisidedame prie savo pramoninio kristalų augimo patirties, taip sudarydami prielaidas perkėlimui į betono pritaikymą.“
Patikrinta įrangos technologija susitinka su patentuota procesų žiniomis
Jungtinėje laboratorijoje „Fraunhofer IISB“ naudoja savo patentuotą PVT (fizikinio garų pernašos) proceso technologiją, kad gamintų 2 colių AlN tūrinius kristalus. Šio proceso metu AlN milteliai garinami tiglyje aukštesnėje nei 2000 °C temperatūroje ir nusodinami ant sėklų kristalo. „PVA TePla“ šiam tikslui tiekia PVT sistemas, kurios jau naudojamos visame pasaulyje 8 colių skersmens silicio karbido (SiC) kristalams ir dabar yra specialiai pritaikytos 2 colių AlN kristalų auginimui.
Dėl „Fraunhofer IISB“ suteiktos procesų patirties PVA „TePla“ komanda greitai sugebėjo savo įrenginiuose pagaminti panašios kokybės AlN kristalus. Jungtinė laboratorija daugiausia dėmesio skiria stabiliai mažų partijų 2 colių AlN kristalų gamybai. Dabar gamyba palaipsniui didinama, siekiant sistemingai optimizuoti proceso stabilumą, atkuriamumą, išeigą ir sąnaudų struktūras.
„Su aliuminio nitridu mes aktyviai kuriame naujos kartos technologiją po SiC“, – sako dr. Janas Pfeifferis, „PVA TePla“ mokslinių tyrimų ir plėtros viceprezidentas. „Per jungtinę laboratoriją galime tiesiogiai sujungti savo įrangos patirtį su „Fraunhofer IISB“ procesų žiniomis, o tai leidžia mums ankstyvoje stadijoje pasiūlyti į rinką orientuotus sprendimus savo klientams visame pasaulyje“, – priduria jis. „Mūsų bendras tikslas – skatinti rinkos plėtrą AlN sektoriuje, pasitelkiant tinkamus substratus, ir remti įmones, norinčias patekti į šią sritį kaip technologijų partnerės, turinčios tinkamą įrangą ir atitinkamą procesų patirtį.“
Europos technologinio suvereniteto stiprinimas per pramonės plėtrą
Jungtinėje laboratorijoje pagaminti AlN kristalai toliau apdorojami Fraunhofer IISB į epi-atsparius AlN substratus, o Erlangene įsikūrusios tyrimų ir produktų kūrimo įmonės LZE GmbH dėka jie specialiai perkeliami į pramoninio kūrimo ir mastelio keitimo procesus. „Europos puslaidininkių suverenitetui labai svarbu, kad naujos pagrindinės medžiagos būtų ne tik sukurtos, bet ir greitai pritaikytos pramonėje ir kurtų mastelio keitimo vertę“, – sako LZE generalinis direktorius dr. Christianas Forsteris. „Turėdama pažangiausių technologijų rinką, LZE GmbH suteikia įmonėms ir mokslinių tyrimų įstaigoms unikalią ir atvirą prieigą prie AlN substratų visame pasaulyje. Tokiu būdu mes padedame užtikrinti, kad perspektyvios didelės apimties pramonės rinkų programos būtų greičiau pateiktos į rinką.“
Įrašo laikas: 2026 m. liepos 20 d.